オーディオの足跡

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Integra M-506の画像
 解説 

W・スーパーサーボ方式を採用したステレオパワーアンプ。

出力端の+側、−側の両方からサーボアンプを介して有害な成分をフィードバックさせ、キャンセルするW・スーパーサーボ方式を採用しています。
+側は音楽信号に重畳されてスピーカーに流れ込む超低域成分をキャンセルし、有害な混変調の発生を抑えています。また、−側のサーボループは入力のアースと出力のアース側との間に存在するインピーダンス分、電源コンデンサの内部抵抗やリード線その他によるインピーダンス分に起因して発生する起電力を押さえ込んでおり、出力端子には音楽信号だけを送り出す働きをします。
出力側の両端をサーボコントロールすることで、音楽信号をマスクしていた夾雑物、有害な雑音、歪の成分の消滅により、分解能を向上しています。

出力段は3段ダーリントン構成で、ハイfTパワートランジスタを使用することで歪の少ない出力を実現しています。さらにパワートランジスタの動作特性をオンキョー独自のリニア・スイッチング方式とし、一段と歪率の向上を図っています。
この方式は、アンプの中では普通最終出力段だけがBクラスとして働いている事に着目し、Aクラスの特性をBクラスのメリットを生かしながら出すという意図で開発されたもので、バイアスは固定しておかねばならないという設計ポリシーのもとに開発されたリニアな特性をもつ方式で、ハイfTパワートランジスタとの組み合わせで優れた性能を発揮しています。

電源部には、音質への影響のパターン研究の結果、新たに開発したツイン・ワインド方式大型トランスを使用しています。また、整流用のケミコンには、重要性を考慮して入念なヒヤリングと素材の物性との相関関係を追及した結果、マルチタブ方式のローインピーダンス・ワイドレンジケミコンをプリント基板と直結させた低インダクタンス回路として使用しています。
さらに、各セクションへの給配電、アースライン等にはブス(母線)ラインを使用するなど、徹底したローインピーダンス化を図っています。

連続的な大振幅動作から小振幅動作への急激な変化の際にファイナルの各ブロック間で熱容量の違いから熱傾斜が生じます。この急激な部分的温度変化はパワー部のバイアス電流値を不安定にし、特にローレベル信号の再生に影響を与えます。
これに対する対策として、M-506では出力段に3ポイント・センシングバイアス回路を儲け、プリドライバー部、ドライバー部、パワートランジスタの3ヶ所の温度差を検出し、バイアスをコントロールしており、安定した低歪率駆動が保証されています。

保護回路にはモノリシックICを採用し、安定性を向上させるとともに、スピーカー端子に現れる直流リーク電圧、やパワー段の過電流を検出し、万一の場合も瞬時にリレー(銀接点・パラレル使用)を遮断して回路部品を守ります。
スピーカー切換はSP-1、2専用の保護リレーを切換える事でダンピングファクターの劣化を防いでいます。また、直流電圧検出量のローパスフィルターもLR独立で、左右の極性が異なった場合も働くようになっています。

対数圧縮及びピークホールドを安定性の良いモノリシックICで行う大型ピークメーターを採用しています。
また、高速応答性を得るため、オペアンプによる専用ドライブ回路でドライブしています。
レベルは前面スイッチで0dBを120Wと12Wに切換えできます。

半導体素子、トランス関係から、抵抗、コンデンサ類、プリント基板、配線用リード線から熔着用半田にいたるまで徹底したヒアリングによる吟味を繰り返し、採用しています。

機種の定格
型式 W・スーパーサーボ方式ステレオパワーアンプ
<アンプ部>
実効出力(20Hz~20kHz) 160W+160W(4Ω)
120W+120W(8Ω)
ダイナミックパワー(1kHz) 180W+180W(8Ω)
全高調波歪率(THD、20Hz~20kHz) 0.003%以下(実効出力時)
0.003%以下(60W出力時)
混変調歪率(SMPTE 70Hz:7kHz=4:1) 0.003%以下(実効出力時)
パワーバンドウィズス(IHF -3dB、THD 0.2%) 5Hz~100kHz
利得 26.3dB
周波数特性 1Hz~100kHz +0 -1.5dB
SN比(IHF-Aネットワーク入力シャント) 120dB
入力感度/インピーダンス 1.5V/47kΩ
スピーカー負荷インピーダンス 4Ω~16Ω
ダンピングファクター(8Ω、1kHz) 180
出力端子 Speaker System1、2
Headphone
トランジェントキラー動作時間 Power on:5sec
Power off:100msec
<メーター部>
レンジ切換 x1(0dB=120W)
x0.1(0dB=12W)
指示範囲 -40dB~+4dB
指示精度 0±1dB
-10±2dB
-20±3dB
応答速度 100μsec(-∞→0dB)
復帰速度 1sec(0dB→-20dB)
<総合>
使用半導体 トランジスタ:47個
FET:2個
IC:6個
ダイオード:40個
電源 AC100V、50Hz/60Hz
ACアウトレット 最大600W
電源スイッチ非連動:1系統
消費電力 190W(電気用品取締法)
最大外形寸法 幅450x高さ174x奥行400mm
重量 18.5kg